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氧化物MOCVD

                                   

产品介绍:

CVD设备制备氧化物薄膜时,由于反应物中含有氧原子,在高温环境下容易与设备元器件发生反应,极大影响设备使用
寿命。昭信半导体的氧化物CVD设备采取加热器密封隔绝反应源氧原子方式、结合严格的选材以及高效的冷却系统设计,
有效防止设备元器件氧化,同时排除了设备进行高温生长的障碍;设备腔体采用昭信半导体自创BDS气体分配系统,气
流均匀性高。该系列设备具有工作温度高、温度及气流场均匀、体积小、升降温度速率快等优点,是高校、科研院所、
生产企业进行II-VI族化合物材料生长的理想设备

 

型号:1*2",3*2",6*2"。可按用户需求定制各类CVD、石墨烯、纳米管生长炉等设备
应用领域:ZnO、ZnSe、CdSe、CdTe等II-VI族化合物材料的生长。

 

技术特性:
* 尾气口设置在腔体轴心处,腔体内部气流均匀对称。
* 石墨托盘表面能实现1000℃以上的高温。
* 加热器密封在内部,与氧气隔离,可有效防止被高温氧化。
* 独特的加热器设计,盘面温度均匀性小于±1℃。

 

质量保证:
1、设备提供质保一年保修服务(易损件除外),在保修期内因设备质量原因造成的设备损坏或故障,均予以免费维修。
保修期满后,仍提供终身的、优质的维修服务。
2、在设备使用过程中如遇故障,我们将尽快做出处理方案,确保设备正常运行。
3、提供免费的设备操作培训和简单故障排除维修培训。
4、由技术人员提供上门服务(产品安装调试、整机维护、技术讲解及操作指导等)。
5、可提供运输服务,包装方式均按照标准安全包装进行。随机技术资料齐全(用户手册、保修手册、有关资料及配件、
随机工具等)。

 

昭信半导体承诺:所有设备出厂前均经过严格的质量检测与功能调试,您可放心选用。